Teknologi Chip Komputer – Dari Silikon Ke Metal

Teknologi Chip Komputer – Dari Silikon Ke Metal

Game Hd Offline – Chip FinFET efektif mengatasi beberapa masalah miniaturisasi, seperti lebih hemat daya. Namun, menyusutnya komponen pada fin, seperti sumber, drain, dan kanal menimbulkan masalah baru setelah memasuki proses node 10 nm atau lebih kecil. Sejak 2009, metode stretched silicon mulai digunakan pada komponen tersebut. Di sini, silikon dibuat lebih tegang dengan bantuan atom germanium agar jarak antar-atom lebih jauh. Lapisan silikon ditempatkan pada pada lapisan silikon-germanium (SiGe) untuk membentuk struktur kristal berpola reguler. Berkat lapisan SiGe, jaraknya tetap dipertahankan jauh sehingga konduksi material dapat meningkat.

Pada kasus transistor, elektron bergerak lebih cepat 70% dibandingkan silikon standar. Mengecilnya transistor FinFET berdampak pada fin yang semakin tipis. Peregangan silikon menjadi lebih kompleks dan mustahil diterapkan setelah proses 10 nm. Miniaturisasi transistor pun menemui jalan buntu dan silikon tidak realistis lagi sebagai semikonduktor. Beberapa material bisa dipakai sebagai pengganti parsial untuk silikon. Adapun germanium (berdekatan dengan silikon pada tabel periodik) dianggap kandidat terbaik pengganti silikon sebagai semikonduktor (ideal untuk komponen p-doped).

Germanium yang sudah berstruktur meregang ini 4 kali lebih conductive daripada silikon. Adapun paduan bahan indium, gallium, arsenik (InGaAs) menjadi opsi terbaik untuk komponen ndoped (6x lebih conductive daripada silikon). Peneliti di Interuniversity Microelectronics Centre di Leuven, Belgia telah membuat prototipe pertama dengan kanal dari bahan InGaAs yang 2x lebih hemat daripada kanal silikon FinFET. Material baru ini diharapkan mulai digunakan pada proses manufaktur chip di tahun 2017. Implementasi lapisan satu atom Proses node 5 nm di tahun 2020 akan membutuhkan komponen yang lebih kecil lagi tetapi tetap bersifat conductive. Nanolayer 2D, misalnya material yang hanya terdiri dari satu lapis atom (monolayer) dianggap sebagai solusinya.

Graphene (carbon atom) mulai diteliti secara intensif. Begitu pula Germanene (germanium), silicene (silikon), dan stanene (tin). Monolayer tidak sepenuhnya mengganti silikon, tetapi hanya melengkapinya. Masalahnya, aspek konduksinya susah dikontrol. Transistor dari graphene murni yang selalu aktif tentu akan boros daya. Metode monolayer juga menawarkan solusi bagi masalah lain dalam proses miniaturisasi. Respon transistor modern sewaktu dihidupkan terbilang cepat saat ini. Namun, adanya proses miniaturisasi berdampak buruk sehingga responsnya turun secara drastis. Metode Monolayer diklaim bisa mengatasinya. Seperti yang ditunjukkan oleh National Institute of Advanced Industrial Science and Technology di Jepang yang membuat prototipe dari graphene (menggantikan tembaga) yang lebih conductive.

Negara Yang Jadi Tujuan Untuk Mengekspor Ikan

Ekspor merupakan proses transportasi komoditas atau barang berasal dari suatu negara ke negara lain yang kebanyakan dilakukan oleh perusahaan bersama skala bisnis kecil hingga...
Coughter
2 min read

Seagate Backup Plus 1 TB – Backup Gadget &…

Seagate Backup Plus 1 TB – Backup Gadget & Media Sosial Download Game Ppsspp – Ibarat sayur tanpa garam, kehilangan foto atau video kenangan...
Coughter
1 min read

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *